铠侠计划5年内将NAND产能翻番

6月6日，日本NAND闪存制造商铠侠公布了一项长期业务战略，目标是在未来五年内将其NAND闪存生产能力提高到目前的两倍，以迎合人工智能数据中心不断增长的存储需求。

按照铠侠的扩展计划，公司打算通过对位于日本四日市和北上的工厂进行生产线投资，在2029财年达成NAND闪存产能比2024财年翻一番的目标。此举是为了响应全球AI基础设施建设所催生的存储需求增加，特别是针对大模型训练、边缘计算以及高性能计算等领域对高速、高密度存储解决方案提出的更高要求。

除了产能的提升，铠侠还计划从2026年下半年起开始生产下一代存储技术的产品。尽管具体的细节尚未公开，但业界普遍推测这或许涉及到更高层数的3D NAND或者其他先进的结构设计，目的是为了提高性能并减少成本。

铠侠作出此扩产决定之时，正值全球存储市场逐渐复苏的时候。早前，由于供应与需求不平衡，NAND市场遭遇了价格下滑和减产的情况。而现在，在AI应用推动下，市场需求显著恢复，促使主要厂商重新启动扩产步伐。世界半导体贸易统计组织（WSTS）预计，2025年全球存储器市场的规模可能同比增长16.2%，其中NAND闪存将是主要的增长驱动力之一。

不过，也有专家提出了潜在的风险点：假如接下来几年里AI进展不如预期或者终端市场需求减弱，可能会导致产能过剩的问题出现。因此，如何在扩展业务的同时适应市场的变动，对于铠侠这样的存储企业来说是一个关键挑战。